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IDH16G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 16A, TO220AC
5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung
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Produkte zum Begriff Schottkydiode:
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C3D03060A - SiC-Schottkydiode, 600V, 5A, TO220ACMerkmale • 600-Volt Schottky-Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Null-Wiederherstellungsspannung • Hochfrequenzbetrieb • positiver Temperaturkoeffizient • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes Gehäuse Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler0,93 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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IDH04SG60C - SiC-Schottkydiode, 600V, 4A, TO220ACthinQ!tm SiC Schottky Diode der dritten Generation Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • herausragendes Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 20mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb thinQ! 3G Diode, entwickelt für schnelle Schaltanwendungen wie: • SMPS z.B.; CCM PFC • Motorantriebe; Solaranwendungen; USV1,61 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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STPSC806D - SiC-Schottkydiode, 600V, 8A, TO220ACDie SiC-Diode ist eine ultrahochleistungsfähige Schottky-Diode. Es wird aus einem Siliziumkarbid-Substrat hergestellt. Das Wide-Band-Gap-Material ermöglicht eine Nennspannung von 600 V. Aufgrund der Schottky-Konstruktion zeigt sich keine Erholung am Abzweig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. ST-SiC-Dioden werden die Leistung der PFC Betrieb unter harten Schaltbedingungen erhöhen. Merkmale • keine oder vernachlässigbare Reverse-Recovery • Schaltverhalten unabhängig von der Temperatur • geeignet für PFC-Korrektur2,10 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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IDH16G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 16A, TO220AC5. Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode Die 5. Generation ThinQ!TM repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!TM Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOSTM Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Merkmale • revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid • hervorragendens Schaltverhalten • keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung • positiver Temperaturkoeffizient • hohe Stoßstromfestigkeit • bleifreie Verbleiung; RoHS-konform • qualifiziert nach JEDEC • Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2) • optimiert für den Hochtemperaturbetrieb Vorteile • verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden • Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf • ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte • höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen • reduzierte EMI Anwendungen • Schaltnetzteile • Leistungsfaktorkorrektur • Solarwechselrichter • unterbrechungsfreie Stromversorgung3,57 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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C3D03060A - SiC-Schottkydiode, 600V, 5A, TO220ACMerkmale • 600-Volt Schottky-Gleichrichter • Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom • Null-Wiederherstellungsspannung • Hochfrequenzbetrieb • positiver Temperaturkoeffizient • extrem schnelles Umschalten • positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes Gehäuse Vorteile • ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter • minimale Schaltverluste • höhere Effizienz • Reduzierung des Kühlkörperbedarfs • parallele Geräte ohne thermische Ausreißer Anwendungen • Schaltnetzteilee (SMPS) • Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen • Freilaufdioden in Wechselrichterstufen • AC/DC-Wandler0,93 €*Versand: 5,95 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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